瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面電晶體

先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布推出新款碳異質接面電晶體(SiGe:C HBT)–NESG7030M04,可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺:碳SiGe:C材料並達到領先業界的低雜訊效能。 ...
2011 年 09 月 28 日