維護7奈米閘極多晶矽移除製程品管 NFET/PFET先進缺陷檢測上場

隨著後閘極(Gate-Last)製程的高介電金屬閘極整合方案而出現的幾種需要監控的缺陷類型中,鰭片蝕出被普遍認為是最重要的一種。後閘極製程中,源極和汲極的成型期間,閘極先採用犧牲材料。一旦源極和汲極成型完成,犧牲材料(多晶矽)就會被移除,把空間讓給高介電閘極氧化物和金屬閘極堆疊。
2019 年 03 月 04 日

凌力爾特推出獨立鉛酸電池平衡IC

凌力爾特(Linear Technology)日前發表用於12伏特(V)鉛酸電池的單一積體電路(IC)、獨立多顆電池平衡器–LTC3305。 新元件採用一輔助電池儲存單元以在其自身與電池組中的每個個別電池間來回傳輸電荷;模式接腳提供兩種操作模式,計時器模式和連續模式。 ...
2015 年 02 月 03 日

德州儀器高側負載開關整合PFET/NFET

德州儀器(TI)推出一款在微型六接腳封裝中整合功率PFET與控制NFET的高側(High-Side)負載開關。該TPS27081A提供1.0~8伏特(V)的業界最寬泛電源電壓支援,是離散式單結型場效應電晶體(FET)開關的最高彈性替代產品。 ...
2012 年 10 月 21 日
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