工研院技術突破 超低電壓晶片/NVRAM量產有望

鎖定行動裝置低耗電設計要求,工研院正全力發展0.6伏特以下超低電壓晶片,及低功耗非揮發性記憶體(NVRAM),並於近期展示初步研發成果;此將協助台灣IC設計業者提高SoC與記憶體技術實力,與美、日、韓業者爭搶行動裝置核心零組件商機。
2013 年 02 月 25 日

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。 ...
2013 年 01 月 10 日