搶占訊號鏈市場 ADI IC設計/測試平台上陣

為紓解電子產品推出時程日益縮短,更新速率加快的壓力,亞德諾(ADI)憑藉在訊號處理領域穩健的技術能力,延伸出實驗室參考電路(Circuits from the Lab)的線上設計與測試平台,簡化工程師於類比、射頻(RF)及混合訊號系統中複雜的設計挑戰,期進一步鞏固在訊號鏈應用市場的領先地位。 ...
2011 年 04 月 29 日

雲端運算驅動 加速銅纜邁向光纖網路

隨著雲端運算(Cloud Computing)應用逐漸增加,影像傳輸量不斷提升,甚至高畫質(HD)、三維(3D)影像傳輸也將成為資料傳輸的主流,因此更高的傳輸需求亦隨之增加,由於現階段的銅纜(Cable)已無法支援更高的傳輸速率,因而促使光纖的重要性與日俱增。 ...
2011 年 04 月 01 日

IR功率因數校正IC增強系統保護安全

國際整流器(IR)日前推出IR115x系列μPFC功率因數校正(PFC)整合式IC,適用於多種AC-DC應用,當中包括照明、液晶/電漿電視和遊戲機的開關模式電源(SMPS) 、風扇、空調,以及300(W)瓦~8千瓦的不斷電供應系統(UPS)...
2011 年 03 月 23 日

有效降低輸出漣波雜訊 無線電源模組採線性穩壓器

看過個人盥洗用具中,BRAUN無線充電牙刷嗎?抑或Windows 7廣告中,將手機放在平板電腦螢幕上充電的那一幕?又或是Discovery頻道中,將植入人體感測式晶片執行充電與擷取訊號的畫面嗎?這些都拜無線電源所賜的新技術,簡單的原理卻可提供方便的應用。
2011 年 03 月 17 日

盛群推出高電流驅動LED系列微控制器

盛群日前推出HT48R06xD與HT46R06xD高電流驅動發光二極體(LED)系列微控制器(MCU)。HT48R06xD系列家族成員共三顆、HT46R06xD系列家族成員也有三顆,分別是HT48R064D與HT46R064D可直接驅動32顆LED、HT48R065D、HT46R065D、HT48R066D與HT46R066D可直接驅動64顆LED。 ...
2011 年 02 月 15 日

挑戰下一代印刷電路板封裝 陣列組態基板嶄露頭角

業界已逐漸考慮擺脫傳統的引線封裝,接受結構更為複雜的陣列組態基板封裝技術,卻也面臨先天性散熱、高密度等挑戰,若能克服困難,這個下一世代的封裝技術可望提升眾多應用元件的整體效能,展現封裝技術新契機。
2011 年 02 月 14 日

參考設計/調整輸出舉足輕重 DAC設計奠定基礎

數位類比轉換器(DAC)只不過是電路設計中眾多鏈路當中的一條,而任何電路板的連接鏈頂多只會與每條鏈路一樣強健,因此本文將著重在介紹實際的設計作業,確保DAC電路盡可能強健。首先是系統架構,以及如何根據其關鍵特性來選擇DAC,接著攸關設計準則,包括如何使用參考設計和調整輸出,最後部分則探討雜訊預防的技術和訊號印刷電路板(PCB)線路規畫的實際作業方式。
2011 年 01 月 06 日

意法半導體發表新款多功能機上盒晶片

全球機上盒(STB)晶片供應商意法半導體(ST)進一步擴大其高性能且具價格競爭力的機上盒的産品策略,推出兩款新的標準畫質(SD)機上盒和高畫質(HD)機上盒系統晶片。新産品能夠讓標準畫質機上盒和高畫質機上盒採用相同的印刷電路板(PCB)設計,設備廠商也可延用針對上一代産品所開發的軟體。 ...
2010 年 12 月 23 日

深耕手機市場 快捷推音訊/USB充電元件

為改善以手機聽音樂的品質,以及解決在電池尺寸無法擴大的情況下,如何透過通用序列匯流排(USB)快速且安全的充電,快捷(Fairchild)推出高整合音訊檢測與USB開關充電器元件,以滿足手機市場廣大的需求,並展現深耕手機市場的決心。 ...
2010 年 11 月 29 日

IR新系列穩壓器大幅減少33%PCB面積

國際整流器(IR)推出4×5毫米封裝的SupIRBuck整合式負載點(POL)穩壓器系列,此系列專為節能伺服器、儲存系統、電訊系統、網路通訊和機上盒應用而設,提供與上一代元件同樣的效率和功能,面積大幅減少33%。 ...
2010 年 11 月 22 日

致力自動調校 賽普拉斯電容式觸控方案升級

目前的電容式觸控感測技術,大多面臨介面開發時間、產品調整、上市時間及其他不確定因素等各種設計與執行上的風險。因此,賽普拉斯(Cypress)專注於自動調校技術(Auto-tuning),以克服不同廠商在印刷電路板與疊層方面的差異問題,有助於節省測試步驟。 ...
2010 年 09 月 01 日

安華高推出四款放大器增益區塊系列產品

安華高(Avago)為通訊、工業及消費性應用的類比介面元件供應商,推出四款全新增益區塊解決方案,可提供高線性、高增益、優越的增益平坦度與低功率耗損。運用安華高專屬的0.25微米(µm)GaAs增強模式pHEMT半導體製程,讓MGA-31189及MGA-31289(0.25瓦),以及MGA-31389與MGA-31489(0.10瓦)增益區塊能,有優越的效能表現。 ...
2010 年 08 月 20 日