滿足5G基地台高頻需求 砷化鎵SoC勢在必行

為滿足5G基地台高頻需求,拉高整合層級的砷化鎵製程將是勢在必行。由於功率表現上的優勢,砷化鎵顯然在4G功率放大器(PA)市場,透過與CMOS製程的角力,奪得一片天。但朝向未來的5G,在功率表現上更具優勢的氮化鎵製程,卻開始緊追在後。因此,促使砷化鎵逐步達成one-chip解決方案的SoC,藉此高效率地滿足5G基地台的高頻需求,將會是砷化鎵與氮化鎵產生差異的關鍵。...
2017 年 06 月 03 日

ADI中功率驅動放大器具高增益與輸出功率

亞德諾半導體(ADI)宣布推出一款運作範圍介於24~35 GHz間的中功率分布式驅動放大器–HMC1131。該放大器在1-dB增益壓縮下提供22 -dB增益、+35 dBm輸出IP3及輸出功率+24...
2015 年 09 月 18 日

安華高推WiMAX前端模組簡化行動電子設計

通訊、工業和消費性應用的類比介面元件供應商安華高(Avago)針對行動手機及可攜式電腦應用的全球微波存取互通介面(WiMAX)無線網路,推出一款完整的射頻前端模組(FEM) AFEM-S257,專為使WiMAX能與其他行動網路共存運作於同一部裝置上而設計。 ...
2011 年 06 月 13 日