東芝發表新型元件結構 SiC MOSFET可靠性提升十倍

東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構,MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時,將元件結構的可靠性提高10倍以上。 功率元件是降低車輛以及工業設備和其它電氣設備能耗的重要元件,而SiC相較於有機矽可進一步提高電壓並降低損耗,因此業界普遍預期其將成為新一代的功率元件材料。雖然SiC目前主要用於車輛變頻器,預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。...
2020 年 08 月 20 日