Diodes高功率密度雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝

Diodes為特定標準產品全球製造商與供應商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、類比及混合訊號半導體市場。該公司今日推出NPN與PNP功率雙極電晶體,採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm),可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小,可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP...
2019 年 03 月 29 日

凌力爾特拓展PNP LDO系列元件

凌力爾特(Linear Technology)發表高壓、微功耗、強固的隨插即用(PNP)線性穩壓器(LDO)系列之最新元件–LT3007,元件並具有3微安培(µA)超低靜態電流。LT3007的高輸入電壓能力涵蓋2.0伏特(V)~45伏特,可調輸出電壓範圍為0.6伏特~44.5伏特,可操作於各式應用。 ...
2013 年 04 月 09 日

IGBT/MOSFET技術突飛 太陽能面板轉換效率猛進

隨著節能觀念興起,再生能源的發電效率也逐漸受到重視,為迎合市場需求,太陽能業者皆無所不用其極努力打造節能高效的太陽能發電系統。受惠近期太陽能逆變器中的IGBT與MOSFET兩項功率元件技術顯著進步,太陽能面板轉換效率已大幅提升。
2011 年 09 月 26 日

太陽能助陣 漢能電動車上路

2010年2月於香港成立的漢能日前宣布,2010年底推出電動車整車,2012年將太陽能電動車續航力拓展至500公里、電池蓄電量衝高至50千瓦小時(kWh),同時宣稱5年內推出太陽能轉換效率達50%的整車設計;並計畫利用太陽能薄膜發電科技,建置可供鉛酸、矽電、鎳氫、鎳鋅與鋰電電池的電動車充電平台。 ...
2010 年 02 月 11 日