化合物半導體爆發可期 1~6吋小晶圓市場強強滾

雖然目前絕大多數半導體元件都已經改用8吋與12吋晶圓量產,但由於化合物半導體在許多特定應用領域上,擁有許多矽半導體所不具備的優勢,故隨著化合物半導體應用越來越普及,用來量產相關元件的1~6吋小晶圓,也呈現一片欣欣向榮的景象。...
2020 年 09 月 28 日

GaN-on-Si陷膠著 GaN-on-GaN LED趁勢崛起

氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)發光二極體(LED)聲勢看漲。GaN-on-GaN LED毋須克服讓矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED研發人員頭痛的晶格、熱膨脹係數等問題,加上GaN基板技術迭有突破,價格下滑可期,因而逐漸成為備受矚目的LED基板替代方案。 ...
2013 年 05 月 08 日

價格/設計力求突破 LED照明/背光版圖擴大

為加速提高LED照明與背光源市場滲透率,縮減成本已為製造商當務之急,再加上LED照明設計將朝替換式與整體式方向推進,各家廠商正戮力跳脫過去傳統照明設計框架,試圖發揮更多想像的空間,將為擴大LED照明與背光源市占助上一臂之力。
2010 年 09 月 20 日

擴大照明/背光市占 LED封裝成本續降

發光二極體背光源液晶電視(LED TV)熱銷,加上LED照明商機萌芽,隨即引爆高亮度藍光LED龐大的市場需求。為加速擴張LED TV與照明應用版圖,縮減LED封裝成本已成當務之急,產業界正試圖透過新基板、4~6吋藍寶石磊晶製程及減少分等級(Bin)數,致力達成此一目標。 ...
2010 年 08 月 26 日

商用運轉鳴槍起跑 準4G市場戰火方熾

全球WiMAX與LTE的發展迭有突破。為及早卡位準4G市場,晶片業者已紛紛針對WiMAX與LTE市場,開發出創新的解決方案,期能搶在市場萌芽之際,順勢切入。
2010 年 06 月 21 日

手機多頻多模整合興 RF CMOS趁勢翻身

在智慧型手機當道與4G行動通訊如火如荼發展下,開發高整合度射頻前端(RF Front-end)單晶片的呼聲漸高,其中,藍寶石覆矽(Silion on Sapphire, SOS)技術在突破成本及性能瓶頸後,已成功利用互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產單體式(Monolithic)射頻晶片方案,並逐步在市場上嶄頭頭角,試圖在多頻多模整合的應用領域,搶占一席之地。 ...
2010 年 05 月 03 日