ROHM新推15ns trr 100V耐壓SBD系列

羅姆(ROHM)針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體(以下簡稱SBD)「YQ系列」。 二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低於平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的差，因此在用於開關應用時出現了功率損耗增加的課題。針對此種課題，ROHM推出採用獨家溝槽MOS結構、同時改善了難以兼顧的VF和IR、實現了業界最高等級trr的YQ系列產品。...
2024 年 02 月 05 日

ROHM SiC MOSFET/SBD成功導入Apex工控設備功率模組

羅姆(ROHM)的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體(以下簡稱SiC SBD)已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品。該電源模組系列包括驅動器模組「SA310」(適用於高耐壓三相直流馬達驅動)和半橋模組「SA110」、「SA111」(適用於多款高電壓應用)兩種產品。...
2023 年 04 月 10 日

ROHM SiC SBD成功應用於Murata資料中心電源模組

羅姆(ROHM)開發的第3代SiC蕭特基二極體(SBD)已成功應用於Murata Power Solutions的產品。Murata Power Solutions是村田製作所集團旗下的企業。ROHM高速開關SiC...
2023 年 03 月 20 日

羅姆新車電SBD產品線實現小型化/低功耗

半導體製造商羅姆(ROHM)研發出小型高效蕭特基二極體(SBD)「RBR系列」、「RBQ系列」各12款產品，適用於車電、工控和消費性電子裝置等電路整流和保護用途。目前該二個系列的產品線總計已達178款。...
2021 年 08 月 18 日

東芝發表新型元件結構　SiC MOSFET可靠性提升十倍

東芝推出可提高SiC(碳化矽)MOSFET可靠性的元件結構。相較於東芝的典型元件結構，MOSFET內嵌的SBD(肖特基勢壘二極體)可在抑制導通電阻增大的同時，將元件結構的可靠性提高10倍以上。 功率元件是降低車輛以及工業設備和其它電氣設備能耗的重要元件，而SiC相較於有機矽可進一步提高電壓並降低損耗，因此業界普遍預期其將成為新一代的功率元件材料。雖然SiC目前主要用於車輛變頻器，預計往後的應用領域會涉及於工業設備的各種光伏發電系統(PPS)和電源管理系統(PMS)。...
2020 年 08 月 20 日

ROHM擴充RASMID產品陣容

近幾年隨著各種行動裝置的高功能化，亦要求元件須小型化。ROHM因應時勢所趨，從很早以前就應用獨家開發細微化技術，持續推展元件的小型化、創新技術。 2011年開發出被認為是細微化的極限，亦就是低於0402(0.4毫米(mm)×0.2毫米)）尺寸的晶片電阻(0.3毫米×0.15毫米)，接著2012年開發出全球最小半導體的齊納二極體(0.4毫米×0.2毫米。此次0402蕭特基二極體(SBD)加入產品陣容的同時，亦成功將03015晶片電阻量產化。 ...
2014 年 02 月 05 日

ROHM以全新製程縮小SBD體積

ROHM因應時勢所趨，從很早以前就應用獨家開發細微化技術，持續推展元件的小型化、創新技術。2011年開發出被認為是細微化的極限，亦就是低於0402(0.4毫米(mm)×0.2毫米)尺寸的全球最小晶片電阻(0.3毫米×0.15毫米)，接著2012年開發出全球最小半導體的齊納二極體(0.4毫米×0.2毫米)。此次0402蕭特基二極體(SBD)加入產品陣容的同時，亦成功將03015晶片電阻量產化。 ...
2013 年 11 月 07 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力，新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統；亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日
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