Transphorm氮化鎵元件實現5微秒短路耐受時間

Transphorm宣布利用該公司的一項專利技術,在氮化鎵功率晶體管上實現了5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就,證明Transphorm的氮化鎵元件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由矽IGBT或碳化矽(SiC)MOSFET提供支援的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力。氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規模(TAM)超過30億美元。...
2023 年 08 月 28 日