升級電源轉換效率 SiC MOSFET降低電磁損耗

超過1,000V電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但如今碳化矽(SiC)元件性能卓越,能夠實現快速開關的單極元件,可取代雙極IGBT。這些SiC元件可以在較高的電壓下實施先前只能在較低電壓(<600V)下才可行的應用。與雙極IGBT相比,這些基於SiC的MOSFET可將功率損耗降低多達80%。SiC元件具有更高的系統效率和穩健性,以及更低的系統成本,適用於電信、伺服器、電動汽車充電站和電池組等應用。如果在基於矽的成熟MOSFET技術,和基於SiC的較新MOSFET之間進行選擇,需要考慮多種因素。...
2022 年 09 月 04 日

提升切換式電源供應器效率 SiC無縫切入高電壓應用

切換式電源供應器(SMPS)使用傳統的矽(Si)MOSFET技術,持續提升整體效率。其中使用新的矽製程、設計方法,以及在創新的全新拓撲使用這類裝置,不斷向前突破提升效率。過去幾年來興起碳化矽(SiC)等寬能隙技術,提供各式各樣令人興奮的特性,協助工程師實現更高效率,不過使用時必須衡量兩種技術之間的價格差異。650V...
2021 年 09 月 12 日

窄脈寬/高電流/低寄生電感兼具 eGaN推進車用光達應用

用於探測和測距的光學雷達(LiDAR)是雷達的一種形式,其電磁波恰好在光學波段範圍內。在過去的幾年中,作為光學雷達其中一種的飛行時間(Time-of-Flight, ToF)距離測量變得十分流行。如果使用雷射作為光源,即使在很遠處、小光點的距離也可以被測量到。如果結合使用光學轉向元件,就可以掃描光點距離測量值,並在3D空間中形成地圖物件(圖1)。
2020 年 06 月 01 日