首款TPSMB非對稱TVS二極體提供SiC MOSFET閘極驅動器保護

Littelfuse公司是一家工業技術製造公司,致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司近日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列,這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制(TVS)二極體,專門用於保護汽車應用中的碳化矽(SiC)MOSFET閘極驅動器。此項創新產品滿足下一代電動車(EV)系統對可靠過壓保護日益增長的需求,提供一種結構緊湊的單元件解決方案,取代了傳統用於柵極驅動器保護的多個齊納二極管或TVS元件。...
2025 年 01 月 03 日

STGAP3S整合電隔離技術/去飽和保護功能/米勒鉗位架構

意法半導體(STMicroelectronics, ST)新STGAP3S系列碳化矽(SiC)和IGBT功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、最佳化的去飽和保護功能,以及靈活的米勒鉗位架構。...
2024 年 12 月 26 日

Littelfuse推出非對稱瞬態抑制二極體系列

Littelfuse宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體,這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案,專為保護碳化矽(SiC)MOSFET閘極免受過壓事件影響而設計。與傳統的矽MOSFET和IGBT相比,SiC...
2024 年 10 月 24 日

ST第四代SiC功率技術為下一代電動車牽引變頻器量身打造

意法半導體(ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技術。這項新技術在功率效率、功率密度及穩定性上樹立了全新的標竿。不僅滿足車用及工業市場的需求,還針對電動車(EV)動力系統中的關鍵元件——牽引變頻器進行了專門最佳化。意法半導體承諾持續創新,並計畫於2027年前推出更多先進的碳化矽技術。...
2024 年 10 月 08 日

ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利EV品牌三款車型

羅姆(ROHM)宣布,該公司內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(吉利)的電動車(EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器。自2023年起,此款功率模組經由ROHM和正海集團的合資公司上海海姆希科半導體供貨給吉利旗下Tier1廠商寧波威睿電動汽車技術。...
2024 年 09 月 02 日

英飛凌推出新一代碳化矽技術CoolSiC MOSFET G2

英飛凌(Infineon)推出新一代碳化矽(SiC)MOSFET溝槽式技術,與上一代產品相比,全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保品質和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。...
2024 年 03 月 22 日

ST SiC助力理想汽車進軍高壓純電動車市場

意法半導體(ST)與理想汽車簽立碳化矽(SiC)長期供貨協議,意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET,支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略。 隨著汽車產業電動化和綠色低碳持續轉型,高壓純電動車因其效能更高、續航里程更遠,已成為汽車製造商的熱門選擇。除了知名的增程式電動車(Extended-Range...
2024 年 01 月 08 日

PI新閘極驅動器適用於高額定電壓SiC/IGBT模組

Power Integrations(PI)宣布推出適用於額定電壓達1,700V的62mm碳化矽(SiC)MOSFET和矽IGBT模組的新型隨插即用閘極驅動器系列,該系列具有增強的保護功能,可確保裝置安全且可靠地運作。SCALE-2...
2023 年 12 月 19 日

先進絕緣封裝優勢多 SMPD強化SiC MOSFET優勢

多數在功率半導體分離式元件的標準封裝中,沒有考慮到一些特定的拓撲結構需求。另一方面,功率模組通常包含完整的拓撲結構,但具有複雜的封裝處理要求。部分供應商的先進絕緣封裝(如SMPD),填補了模組和分離式元件之間的空白,同時具備功率模組的性能和分離式元件的靈活性。...
2023 年 02 月 23 日

ROHM第4代SiC MOSFET導入日立安斯泰莫EV逆變器

ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已由日立安斯泰莫株式會社使用於電動車(EV)逆變器。 在全球實現減碳社會的過程中,汽車的電動化進程持續加速,在此背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程並縮減電池尺寸,如何提高驅動核心「逆變器」的效率已成為重要課題,市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。...
2022 年 12 月 27 日

英飛凌SiC MOSFET晶片擴增閘極電壓範圍

高功率密度的需求日益成長,因此推動了開發人員在其應用中採用1,500VDC系統規格,以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過,1,500VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰,例如在高DC電壓下快速切換,這通常需要多層次拓撲,因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量。為了解決這項問題,英飛凌(Infineon)宣布擴展其...
2022 年 06 月 13 日

巧用孔洞陣列設計 最佳化SMT功率元件散熱

本文首要部分將針對低功率應用中表面黏著封裝(SMT)功率元件所需的印刷電路板(PCB)散熱孔設計提出建議。除了進行模擬實驗以比較不同型式散熱孔陣列設計的差異外,同時也製作具有不同散熱孔陣列設計的PCB板並測量熱阻值,這些數值將確認模擬實驗的結果。
2021 年 09 月 23 日