鎖定LED照明應用 晶電GaN-on-Si晶片量產在即

晶元光電氮化鎵(GaN)布局再下一城。繼年初取得德國ALLOS Semiconductors矽基氮化鎵(GaN-on-Si)的技術授權後,晶元光電即將於近期投產GaN-on-Si晶片,目標鎖定發光二極體(LED)照明市場。另外,該公司也正積極研發GaN-on-GaN技術,將瞄準600伏特(V)以上的功率元件應用,以取代MOSFET、IGBT等矽功率元件。 ...
2015 年 12 月 10 日

收購國際整流器 英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR),創下該公司有史以來最高收購金額,藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路,強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

科銳發表商用50安培SiC整流器系列

科銳(CREE)推出新型CPW5 Z-Rec高功率碳化矽(Silicon-carbide, SiC)蕭特基二極體產品,為可商用的50安培(A)SiC整流器系列。新型二極體專為在50千兆瓦(kW)~1兆瓦(MW)的高電力系統中使用SiC技術,提供成本降低、效率提升、系統簡化以及高可靠度的優勢,能實現嚴苛要求,包括太陽能/太陽能光電轉換器(PV...
2014 年 03 月 17 日

ST推出650V碳化矽二極體

意法半導體(ST)的新雙管配置碳化矽(SiC)蕭特基二極體(Schottky Diode)是市場上同類產品中首款每支管子額定電壓650伏特(V),且可選共陰極(Common-cathode)或串列(Series)配置的整流二極體產品,可用於交錯式(Interleaved)或無橋式(Bridgeless)功率因數校正(PFC)電路。 ...
2014 年 02 月 07 日

快捷技術長榮獲ISPSD貢獻獎

快捷半導體(FAIRCHILD)技術長Dan Kinzer於2013年第二十五屆功率半導體器件與積體電路國際會議(ISPSD)榮獲「ISPSD貢獻獎」。 ISPSD貢獻獎於2001年ISPSD會議上設立,旨在頒發給在拓展技術領域上有傑出貢獻之人。值此紀念ISPSD...
2013 年 07 月 26 日

PV逆變器應用增溫 SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統矽功率半導體,提供更高的電源轉換效率,更可減少所需的電容和感測器數量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日

科銳發表新型SiC功率模組

科銳(Cree)發表45毫米(mm)封裝的商用化碳化矽(SiC)六單元(Six-pack)功率模組。在相同矽模組額定電流值下,科銳的六單元碳化矽模組可降低功率損耗達75%,散熱片尺寸可以立即減少70%或提高功率密度50%。新型六單元SiC功率模組能擺脫傳統上對功率密度、效率及成本等設計上的限制,協助設計人員實現高性能、高可靠度及成本更低的功率轉換系統。與尖端技術的矽模組比較起來,1.2千伏特(kV)、50安培(A)的SiC模組所提供的性能等同於額定電流為150安培的矽模組。 ...
2013 年 05 月 20 日

GaN-on-Si陷膠著 GaN-on-GaN LED趁勢崛起

氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)發光二極體(LED)聲勢看漲。GaN-on-GaN LED毋須克服讓矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED研發人員頭痛的晶格、熱膨脹係數等問題,加上GaN基板技術迭有突破,價格下滑可期,因而逐漸成為備受矚目的LED基板替代方案。 ...
2013 年 05 月 08 日

羅姆碳化矽MOSFET模組正式投入量產

羅姆(ROHM)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power Conditioner)等變流器/轉換器(Inverter/Converter)的碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組(額定規格1200伏特(V)/180安培(A))投入量產。 ...
2013 年 01 月 11 日

投資熱錢不斷湧入 GaN市場2013年起飛

GaN功率半導體市場產值將快速擴增。由於GaN具有極佳材料特性,在功率半導體應用市場前景可期,因而引發投資熱潮,除新創公司不斷冒出頭外,國際半導體大廠也紛紛投入研發。目前,GaN元件已陸續商用,預估2013年量產規模將可進一步擴大,帶動市場迅速起飛。
2012 年 07 月 30 日

提升設備輕載效率 電源設計手法大翻新

隨著雲端發展風潮興起,伺服器與終端裝置的節能要求已日益受到市場重視。因此,電源晶片與設備製造商已分別從材料、封裝、軟體及拓撲架構等層面著手,開發新一代解決方案,甚至開始改用數位式電源設計架構,以提高雲端設備在輕載時的電源轉換效率。
2012 年 05 月 07 日

鎖定1,200V高壓應用 SiC模組/二極體全速開跑

碳化矽(SiC)將大舉搶進1,200伏特(V)高壓應用市場。繼羅姆半導體(Rohm Semiconductor)在2012年3月發表全SiC功率模組,英飛凌(Infineon)亦將於第三季推出新一代SiC蕭特基二極體(Schottky...
2012 年 04 月 26 日