再生能源夯 高頻寬功率半導體行情看俏

再生能源當紅,吸引電源晶片業者趨之若鶩。日前,在英飛凌(Infineon)領軍及德國聯邦教育與研究部(BMBF)資助下,正展開高頻寬(Wideband Gap)功率半導體元件的研發,目標為在不顯著增加系統成本之下,減低電力於進入供電網絡的損耗;快捷(Fairchild)對於高頻寬功率半導體解決方案的開發,則從材料著手,欲長期投資。 ...
2011 年 01 月 31 日

強化電源戰力 英飛凌擬改12吋晶圓量產

繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後,在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫,希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠,以因應市場持續高漲的節能需求,並鞏固既有市場地位。 ...
2010 年 12 月 27 日

天科合達實現3英寸碳化矽晶片規模化生產

天科合達於近期宣布實現了3英寸碳化(SiC)晶片的規模化生產。此前,天科合達降低了2英寸SiC晶片的銷售價格,滿足客戶對新一代大功率半導體器件的研發和商業化應用。最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產且積極擴大產能。該公司表示,其產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性,具備極低的平均微管密度、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求,適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率元件。...
2009 年 09 月 29 日

精簡高效成電源顯學 高壓MOS攻防戰開打

高壓MOSFET在節能意識高漲的市場環境下重要性日增,而以超接面技術製造的高壓MOSFET,由於可較標準平面式MOSFET在相同單位面積內,實現更小的導通電阻,因而成為功率半導體元件業者競相布局的重點。
2009 年 04 月 03 日