ROHM推出新型2in1 SiC封裝模組TRCDRIVE pack

羅姆(ROHM)針對300kW以下的xEV(電動車)用牽引逆變器,開發出2in1 SiC封裝型模組TRCDRIVE pack共4款產品(750V二款:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V二款:BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE...
2024 年 06 月 13 日

吉利汽車/ST簽署SiC供應協定並成立聯合實驗室

意法半導體(ST)與吉利汽車集團宣布,雙方簽署碳化矽(SiC)元件長期供應協議,加速碳化矽元件的合作。按照協議規定,意法半導體將為吉利汽車旗下數個品牌之中高階純電動車提供SiC功率元件,協助吉利提升電動車性能、加快充電速度、延長續航里程,以及深化新能源汽車轉型。此外,吉利和ST將在多個汽車應用領域的長期合作基礎上,打造創新聯合實驗室,交流與探索在車用電子/電氣(E/E)架構(如車載資訊娛樂、智慧座艙系統)、進階駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。...
2024 年 06 月 05 日

羅姆旗下SiCrystal與ST擴大SiC晶圓供貨協議

羅姆(ROHM)與意法半導體(ST)宣布,雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal現有之6吋碳化矽(SiC)基底晶圓多年長期供貨協定基礎上,繼續擴大合作。根據新簽訂的長期供貨協議,SiCrystal將對意法半導體擴大德國紐倫堡產的碳化矽基底晶圓供應,預計總金額不低於2.3億美元。...
2024 年 04 月 29 日

ST碳化矽數位電源解決方案獲肯微科技採用

意法半導體(ST)宣布與高效能電源供應商肯微科技合作,設計及研發使用ST的碳化矽(SiC)、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術。該參考方案適用於電源設計數位電源轉換器應用,尤其在伺服器、資料中心和通信電源的領域。...
2024 年 03 月 22 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢 電動車OBC效能更上層樓(1)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶,甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子,基於寬能隙元件技術的雙向OBC,將是未來的發展趨勢。 在汽車產業,從底盤到動力傳動、資訊娛樂、連線功能和駕駛輔助系統,車輛設計的幾乎所有方面都在快速發展和創新。純電動車(BEV)若要快速且廣泛地普及,就必須解決充電時間對駕駛人造成的擔憂和壓力,尤其是在長途公路的旅途中。毫無疑問,車載充電器(OBC)設計比大多數領域受到更嚴格的檢視。...
2024 年 03 月 21 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢 電動車OBC效能更上層樓(2)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶,甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子,基於寬能隙元件技術的雙向OBC,將是未來的發展趨勢。 創新封裝和散熱方法實現全新散熱設計 然而,在認識WBG技術所帶來優勢的同時,設計人員也必須意識到,散熱效能的改善,是實現這些重要目標的關鍵所在。...
2024 年 03 月 21 日

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置,不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。...
2024 年 03 月 19 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(1)

電動車的傳動系統至關重要,其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵,會直接影響功率輸出,並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升,也必須考慮整合輔助子系統,並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率 實現EV節能設計(2)

電動車的傳動系統至關重要,其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵,會直接影響功率輸出,並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升,也必須考慮整合輔助子系統,並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

功率/矽光子同步帶動 化合物半導體成長可期

研究機構Yole Group預期,在矽光子(Photonics)與功率應用的帶動下,化合物半導體基板跟磊晶圓(Epiwafer)市場規模在未來幾年將出現明顯成長。預估到2029年時,整體化合物半導體基板的市場規模將成長到33億美元,2023年~2029年間的複合年增率(CAGR)為17%。碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)與磷化銦(InP)會是成長排名前三的化合物半導體基板。研究機構Yole...
2024 年 02 月 01 日

致瞻科技採用ST SiC技術提升電動車空調壓縮機控制器效能

意法半導體(ST)宣布與致瞻科技合作,為其電動車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽(SiC)MOSFET技術。高效能控制器能為新能源車帶來諸多益處,以60kWh~90kWh動力電池容量的中型電動車為例,續航里程可延長5到10公里,在夏冬兩季的效果尤為明顯。...
2024 年 01 月 30 日

確保碳化矽電源系統可靠度 元件溫度不宜超過鋁熔點

碳化矽功率元件的本質載子濃度(ni)在室溫下非常低,約在1X10-9cm-3,當溫度上升到超過1,200℃時,才會趨近於磊晶背景的濃度。當元件溫度升高到這個水準,由於本質載子濃度與摻雜濃度相近,碳化矽功率元件的特性將消失,造成其無法正常工作,進而可能發生熱跑脫(Thermal...
2024 年 01 月 11 日