溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
2018 年 09 月 27 日