英飛凌推出160V雙通道閘極驅動IC

英飛凌科技(Infineon)宣布,其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列再添新成員,包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160V的絕緣層上覆矽(SOI)閘極驅動器具有出色的抗閂鎖能力,適合電池供電應用,如無線電動工具、多軸飛行器、無人機以及電池電壓達120V的輕型電動車等。...
2024 年 01 月 08 日

英飛凌新推1200V半橋驅動器IC系列

英飛凌科技(Infineon)繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1,200V絕緣體上矽(SOI)三相閘極驅動器之後,現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列,進一步擴展其產品組合。...
2023 年 05 月 17 日

英飛凌新半橋式與高低側閘極驅動器實現快速頻率切換

英飛凌(infineon)擴展旗下EiceDRIVER產品組合,推出全新650V半橋式與高低側閘極驅動器,採用該公司絕緣層上矽(SOI)技術,提供良好的負VS瞬態電壓抗擾性與真正靴帶二極體的單片整合。上述特點皆有助於降低BOM,並能在精簡的外型尺寸中以MOSFET與IGBT打造更強固的設計。快速位準偏移(FLS)系列專為SMPS和UPS等高頻應用,以及工業馬達和嵌入式變頻器、家電、電動工具、風扇及幫浦的馬達控制等量身打造。...
2021 年 04 月 12 日

英飛凌新半橋式SOI驅動器整合靴帶式二極體

英飛凌(Infineon)擴展旗下EiceDRIVER產品系列,推出採用英飛凌SOI(Silicon On Insulator)技術的650V半橋式閘極驅動器。該產品可提供負瞬態電壓抗擾性、單片整合實體的靴帶式二極體,以及針對MOSFET和IGBT變頻應用提供絕佳的閂鎖效應防護。這些功能可實現穩定可靠的設計,並且降低BOM成本。高輸出電流系列2ED218x專為電磁爐、空調壓縮機、交換式電源供應器(SMPS)和不斷電系統(UPS)等高頻應用所設計。低輸出電流的2ED210x系列則是專為家電、電動工具、馬達控制及驅動器、風扇和幫浦設計。...
2020 年 01 月 24 日

SERDES功耗天險難克服 矽光子準備接棒

日前聯發科宣布推出經過7奈米FinFET製程驗證的112G遠程串列/解串列器(SERDES)矽智財(IP),為該公司在特殊應用晶片(ASIC)產品陣線再添生力軍。不過,由於以銅為傳輸媒介的訊號損失太大,連帶造成112G...
2019 年 11 月 18 日

英飛凌新品適用於高達1.8kW工業馬達

英飛凌科技(Infineon Technologies)為其智慧功率模組(IPM)系列推出新款產品:整合各種功率與控制元件,提高可靠性,並最佳化PCB尺寸及系統成本的CIPOS Maxi IM818系列。IPM採用DIP...
2018 年 11 月 23 日

ADI發表最低插入損耗的44GHz矽切換開關

亞德諾(ADI)發布採用先進絕緣矽片(SOI)技術的44GHz單刀雙擲(SPDT)切換開關產品ADRF5024和ADRF5025。兩款新型切換開關均為寬頻產品,可分別在100MHz至44GHz、9kHz至44GHz範圍內提供平坦的頻率響應。在直通和熱切換條件下,兩款元件均可支援27dBm的功率處理。新型切換開關採用精小的2.25mm...
2018 年 06 月 15 日

5G帶來天線濾波新需求 手機射頻前端添利多

5G帶來新的天線濾波需求,手機射頻前端(RF Front-end)元件市場規模可望因此大幅成長。根據研究機構Yole Développement預測,智慧型手機使用的RF前端模組與元件市場,2016年產值為101億美元,到了2022年,預計將會成長至227億美元。如此快速的成長與5G使用新的天線、多載波聚合等技術密不可分,這些新技術將需要額外的濾波功能,並帶動相關元件市場蓬勃發展。...
2017 年 03 月 24 日

強化CMOS射頻前端戰力 村田製作所收購Peregrine

村田製作所(Murata Manufacturing)全資子公司村田電子(Murata Electronics)宣布,將以每股12.5美元的價格,現金收購Peregrine Semiconductor已發行股票,交易總價為4.71億美元。未來,Peregrine將成為村田製作所的全資子公司,並延續其射頻(RF)晶片業務。 ...
2014 年 09 月 01 日

中低價手機風潮來襲 CMOS/GaAs PA競爭加劇

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優勢於中低價手機市場攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA廠商為進一步防堵對手攻勢,將全面啟動輕晶圓代工(Fab-lite)策略,以同時鞏固高階手機及中低價手機市占。 ...
2013 年 10 月 08 日

手機多頻多模整合興 RF CMOS趁勢翻身

在智慧型手機當道與4G行動通訊如火如荼發展下,開發高整合度射頻前端(RF Front-end)單晶片的呼聲漸高,其中,藍寶石覆矽(Silion on Sapphire, SOS)技術在突破成本及性能瓶頸後,已成功利用互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產單體式(Monolithic)射頻晶片方案,並逐步在市場上嶄頭頭角,試圖在多頻多模整合的應用領域,搶占一席之地。 ...
2010 年 05 月 03 日