工研院攜手台積電開發SOT-MRAM 記憶體內運算功耗降百倍

隨著人工智慧(AI)與5G時代來臨,包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用,帶動記憶體需求。在高速運算(HPC)的需求大幅成長下,記憶體大廠的研發方向,朝向更快、更穩、功耗更低的產品。 其中經濟部長期以來科專計畫補助工研院建立前瞻記憶體研發能量,與台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(Spin...
2024 年 01 月 18 日

經濟部於SEMICON展出MRAM/電動車快充技術

經濟部技術處於2022 SEMICON Taiwan展出新技術,瞄準記憶體應用、電動車快充、次世代通訊、半導體量測設備與未來多樣化的元宇宙應用,推出包含SOT-MRAM陣列晶片、碳化矽功率模組、氮化鎵射頻高電子遷移率電晶體、2奈米量測機台,以及即時裸視3D服務系統,共五項技術研發成果。其中,碳化矽功率模組可將充電裝電壓提高至800V,滿足電動車的快充需求。...
2022 年 09 月 19 日

垂直式磁化材料優點多 磁性記憶體儲存/性能增

垂直自旋傳輸記憶體在密度、容量、耗能等方面優於傳統水平式傳輸記憶體,可克服降低寫入電流和提高元件熱穩定挑戰。
2020 年 01 月 02 日

工研院發布新世代MRAM/FRAM技術 推動新興記憶體發展

AI、5G等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,在DRAM、SRAM、快閃記憶體等存在已久的記憶體技術愈顯吃力的情況下,新興記憶體備受關注。為此,工研院近期於IEEE國際電子元件會議(International...
2019 年 12 月 11 日