另闢獲利蹊徑　SSD廠轉攻利基型市場

利基型市場可望成為固態硬碟(SSD)廠商未來發展重點。由於NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業者正將營運觸角延伸至消費型及個人電腦原始設備製造商(PC-OEM)市場，讓獨立營運的固態硬碟廠商倍感壓力，因此固態硬碟廠商已開始轉攻企業級、工規、軍用等利基型市場，以避免與NAND快閃記憶體業者正面交鋒。 ...
2013 年 12 月 18 日

垂涎TLC SSD商機　NAND Flash廠強化控制器布局

NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業者正積極布局三層式儲存(TLC)固態硬碟市場。三星(Samsung)於2012下半年以其優良的控制技術，成功推出具性價比優勢的TLC固態硬碟後，已吸引許多NAND快閃記憶體業者加緊強化其控制器技術，以期能循三星模式搶攻TLC固態硬碟商機。 ...
2013 年 12 月 16 日

承偉2.5吋SATA III固態硬碟上市

承偉國際於工控模組記憶體產品深耕多年，正式入主消費性市場儲存領域，繼SATA III mSATA固態硬碟(SSD)產品推出後，再度推出SATA III 2.5吋SSD-SSD2G系列產品，以其優異的讀寫速度搭配最佳成本的價格考量，展現承偉國際除工業用記憶體產品外，消費性產品也能提供客戶更多元的選擇。 ...
2013 年 12 月 10 日

強化SSD布局　NAND Flash業者購併攻勢不止

NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)供應商正積極搶灘固態硬碟(Solid State Drive, SSD)市場，快速顛覆固態硬碟市場生態。繼SK海力士(SK Hynix)、三星(Samsung)及美光(Micron)等NAND快閃記憶體供應商競相透過自行開發或企業併購等方式發布固態硬碟產品後，東芝(Toshiba)亦正與飢餓鯊(OCZ)進行併購協商，可望強化東芝在固態硬碟市場的戰力。 ...
2013 年 11 月 29 日

宇瞻雲端即時監控軟體亮相

目前在傳統硬碟及固態硬碟(SSD)多數採用S.M.A.R.T自動監控分析報告技術，隨時檢測硬碟健康狀態，例如溫度、使用時間、抹除次數、通電次數，藉以分析並預測硬碟汰換時機，是單機最佳的預警機制。但隨著雲端時代來臨，管理者對於雲端儲存裝置展開監控，必須具備3A管理(Any...
2013 年 11 月 21 日

傳輸率飆破GB/s　PCIe SSD大受企業市場青睞

企業級PCIe介面的固態硬碟(Solid State Disk, SSD)商機漸顯。由於PCIe介面SSD傳輸率可達GB/s等級，因而在資料中心(Data Center)等企業應用市場日益受到重視，可望於2014年第二季開始在市場上大放異彩。 ...
2013 年 11 月 12 日

TSV助臂力　3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸，各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日

資料中心商機旺　記憶體業成長增添新動能

資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業成長的新動能。隨著雲端服務崛起，全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發展；目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達六成，且未來仍將節節攀升，可望帶動龐大儲存需求，並推助記憶體業創造另一波成長高峰。 ...
2013 年 11 月 05 日

宜鼎展示SSD資料保護技術

宜鼎國際發表Power Secure技術白皮書，詳細介紹獨家韌體與硬體整合固態硬碟(SSD)的強化技術。此技術能在SSD在電源間歇中斷(Power Cycling)無法完整寫入資料時，避免產生儲存型快閃記憶體(NAND...
2013 年 09 月 25 日

瞄準資料中心商機　三星3D NAND SSD出擊

三星(Samsung)發表業界首顆基於3D NAND技術的固態硬碟(SSD)。三星電子於日前快閃記憶體高峰會議(Flash Memory Summit 2013)中推出採用3D V-NAND技術的固態硬碟，欲以1TB的超高容量與極高的可靠度鞏固該公司於商業伺服器及資料中心市場的勢力。 ...
2013 年 08 月 20 日

迎頭趕上勁敵　美光3D NAND明年Q1送樣

美光(Micron)將於2014年第一季開始提供客戶3D NAND快閃記憶體樣品。繼三星(Samsung)、東芝(Toshiba)陸續宣布量產3D NAND快閃記憶體後，美光日前於投資人說明會議中亦指出，該公司平面NAND快閃記憶體製程已進階至16奈米(nm)階段，並將於2014年開始逐步轉移製程至3D...
2013 年 08 月 16 日

競相投入量產　三星/東芝3D NAND大戰開打

三星(Samsung)與東芝(Toshiba)將接連量產3D NAND快閃記憶體。三星日前宣布開始量產3D垂直(Vertical)NAND快閃記憶體–V-NAND，而東芝亦不落人後，宣布將於2014年初開始量產3D...
2013 年 08 月 14 日
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