低溫電子技術加值高效能運算

讓電子元件在如此低溫環境下運作,能實現雜訊更低、導電性與速度更高、省電效能更佳等方面優勢, 數種商用記憶體都證實可以運作於77K低溫下、實現低延遲存取的優勢,相關研究顯示,在存取速度與容量上,可以達到室溫運作下相同解決方案的兩倍。...
2023 年 05 月 19 日

垂直式磁化材料優點多 磁性記憶體儲存/性能增

垂直自旋傳輸記憶體在密度、容量、耗能等方面優於傳統水平式傳輸記憶體,可克服降低寫入電流和提高元件熱穩定挑戰。
2020 年 01 月 02 日

愛德萬發布用於記憶測試系統STT-MRAM切換電流測量系統

半導體測試設備領導供應商愛德萬日前宣布,其與日本東北大學創新整合電子系統中心(CIES)的合作。本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持,成功地研發出高速、高精確度模組,可以測量磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)中記憶束的切換電流,運作速度為微安培/奈米秒。由於這項科技的創新,使得觀察STT-MRAM記憶單元每分鐘通過電流變化成為可能,此外,由於運用新研發技術開發成功的此測試系統,也讓STT-MRAM故障分析及STT-MRAM技術實務應用又向前跨出了一大步。這項測試科技除應用於STT-MRAM系統外,也可用於其他如ReRAM及PCRAM電阻改變類的記憶系統上。...
2018 年 12 月 22 日

愛德萬研發STT-MRAM切換電流測量系統

半導體測試設備領導供應商愛德萬測試宣布與日本東北大學創新整合電子系統中心(CIES)的合作,本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持,成功地研發出高速、高精確度模組,可以測量磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)中記憶束的切換電流,這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術,運作速度為微安培/奈米秒。...
2018 年 12 月 14 日