Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主,但是隨著越來越多苛刻的應用與需求,矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限,使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求,近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化,本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件,還是轉而選用寬能隙功率開關元件,先由矽和寬能隙材料的特性進行比較,再進入討論CoolMOS,CoolSiC和CoolGaN的應用和定位,提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

迎戰德儀 英飛凌買下奇夢達12吋晶圓廠

英飛凌(Infineon)12日宣布,以1.006億歐元收購奇夢達(Qimonda)位於德國德勒斯登的12吋晶圓廠,進行策略性產能擴張,成為繼德州儀器(TI)後,第二家以12吋晶圓生產類比晶片的半導體公司,除可進一步強化英飛凌在功率半導體市場的地位外,亦為迎戰德州儀器凌厲的攻勢做好準備。 ...
2011 年 05 月 16 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

強化電源戰力 英飛凌擬改12吋晶圓量產

繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後,在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫,希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠,以因應市場持續高漲的節能需求,並鞏固既有市場地位。 ...
2010 年 12 月 27 日