Transphorm發布兩款4引腳TO-247封裝SuperGaN元件

Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。...
2024 年 01 月 22 日

英飛凌獨立式IGBT滿足升級需求

電磁爐設備通常運用諧振拓樸,實現電流雙向流動,並且採用切換頻率為 18 kHz 至 40 kHz 時可達到最佳效能,且損耗率低的獨立 IGBT。英飛凌(Infineon) 推出全新獨立IGBT系列產品,滿足了上述需求。新型RC-E產品經過成本優化,符合中低階價位電磁爐和電鍋的具體需求。 ...
2016 年 10 月 27 日

ST 650V車規MOSFET採用TO-247封裝

意法半導體(ST)的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用TO-247封裝的650V AEC-Q101車規金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。在高電壓突波(High-voltage...
2013 年 08 月 14 日