加入寬能隙元件戰局 快捷SiC產品明年上陣

繼國際整流器(IR)與意法半導體(ST)發表寬能隙(Wide Bandgap)功率半導體元件後,快捷(Fairchild)半導體日前亦宣布將於2012年推出碳化矽(SiC)產品,並鎖定太陽能、風力發電、電動車(EV)等高功率轉換應用市場進行搶攻,讓寬能隙功率半導體市場戰火急速升溫。 ...
2011 年 10 月 26 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

快捷半導體導入碳化矽技術開發創新產品

全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild Semiconductor)日前宣布收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC,以擴展其技術領先地位。此舉使其可在超廣溫度範圍下有出色性能,以及優於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術卓越性能的雙極SiC電晶體技術。 ...
2011 年 04 月 28 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日