專利設計發功 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出採用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET,並已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。 ...
2015 年 08 月 11 日