製程準備就緒 3D IC邁入量產元年

2013年將出現首波3D IC量產潮。在晶圓代工廠製程服務,以及相關技術標準陸續到位後,半導體業者已計畫在今年大量採用矽穿孔(TSV)封裝和3D IC製程技術,生產高度異質整合的系統單晶片方案,以符合物聯網應用對智慧化和低功耗的要求。
2013 年 02 月 04 日

展開雲端事業攻防戰 Intel/ARM再掀熱鬥

英特爾與ARM的處理器戰線將擴大至雲端應用領域。瞄準雲端設備對低功耗、高效能的嚴格要求,英特爾已揭櫫新一代Atom SoC及3D陣列記憶體開發計畫;同一時間,ARM也不甘示弱力推64位元處理器核心,並攜手超微、高通等大廠制定異質系統架構標準。
2013 年 01 月 28 日

Intel/工研院合作有成 3D陣列記憶體明年投產

三維(3D)陣列記憶體將於明年問世。英特爾(Intel)與工研院日前揭露雙方自2011年以來的技術合作初步成果,已透過3D堆疊製程研發一款實驗性陣列記憶體,並計畫於2013年投入量產。新架構將大幅提升記憶體密度,為系統帶來更出色的運算效能與電源使用效益,助力行動與運算設備商打造兼容高效能、低功耗價值的產品。 ...
2012 年 12 月 05 日

滿足高整合、小尺寸要求 手機元件掀SiP設計風

智慧型手機元件朝向SiP封裝趨勢日益明顯。智慧型手機設計逐漸往輕薄化發展,對手機元件的尺寸、效能、成本與整合度要求也愈來愈高。SiP技術可讓晶片實現更高整合性,並達到尺寸微縮目的,因而日益受到OEM和品牌廠的青睞,成為行動裝置元件設計的重要途徑。
2012 年 11 月 26 日

生醫電子漸夯 MEMS廠布局微流體代工商機

微機電系統(MEMS)微流體(Microfluidics)晶片行情看漲。MEMS微流體逐漸在生物醫療市場嶄露鋒芒,瞄準此一商機,MEMS設計代工廠–IMT(Innovative Micro...
2012 年 11 月 06 日

發布設計參考流程 台積20奈米/3D IC製程就緒

台積電20奈米(nm)及三維晶片(3D IC)設計參考流程出爐。台積電日前正式宣布推出20奈米製程,以及應用於3D IC生產的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)兩項設計參考流程,以維持旗下半導體製程技術領先競爭對手半年到1年的腳步,防堵格羅方德(GLOBALFUNDRIES)、聯電的技術追趕。 ...
2012 年 10 月 12 日

設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年

3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資,並全力衝刺技術研發,3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破,包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產,推助3D...
2012 年 10 月 07 日

Via-Reveal製程設備到位 3D IC量產邁大步

三維晶片(3D IC)關鍵製程技術大躍進。為加速3D IC量產,半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外,亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術,助力優化晶片堆疊組裝效率,目前包括應用材料(Applied...
2012 年 09 月 14 日

趕搭3D IC熱潮 聯電TSV製程明年量產

聯電矽穿孔(TSV)製程將於2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯電加緊研發邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術,將採Via-Middle方式,在晶圓完成後旋即穿孔,再交由封測廠依Wide...
2012 年 09 月 11 日

行動裝置需求大 MEMS封裝邁向標準化

平板、智慧型手機等行動裝置對感測器的高度需求,正改變MEMS產業傳統的「手工藝」設計文化,讓MEMS元件封裝由過去客製化形式,朝向標準化技術平台發展,從而達成產品快速上市與降低成本的目標,並為更多封裝及測試代工業者帶來利多。
2012 年 08 月 20 日

全球研發聯盟分頭並進 3D IC異質整合進展加速

在可攜式電子產品的成長趨勢帶動下,將更多功能整合在更小的體積,並達到節能、高效、成本低的積體電路(IC)產品是產業界期待已久的願景。傳統上,IC是二維(2D)架構,但是,其橫向面積逐漸的加大,已經沒有辦法讓摩爾定律(Moore's...
2012 年 07 月 21 日

整合度再往上翻 MCU導入3D堆疊製程

微控制器(MCU)整合度將再上一層樓。為滿足智慧電表對於高整合度微控制器的需求,微控制器業者已計畫導入3D堆疊製程技術,進一步縮小晶片尺寸、降低功耗,同時解決散熱問題。   ...
2012 年 06 月 04 日