設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年

3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資,並全力衝刺技術研發,3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破,包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產,推助3D...
2012 年 10 月 07 日

Via-Reveal製程設備到位 3D IC量產邁大步

三維晶片(3D IC)關鍵製程技術大躍進。為加速3D IC量產,半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外,亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術,助力優化晶片堆疊組裝效率,目前包括應用材料(Applied...
2012 年 09 月 14 日

趕搭3D IC熱潮 聯電TSV製程明年量產

聯電矽穿孔(TSV)製程將於2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯電加緊研發邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術,將採Via-Middle方式,在晶圓完成後旋即穿孔,再交由封測廠依Wide...
2012 年 09 月 11 日