SiC大舉增加能源系統效率　電動車/太陽能逆變器高效世代來臨(1)

WBG半導體的擊穿電壓高十倍，受熱能啟動的程度也更低。對於需要出色的高功率、高溫和高頻率性能的電動車和逆變器製造商來說，SiC半導體代表著令人興奮的前景。 日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，汽車產業若要擺脫化石燃料極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是綠色能源的產量要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水準，都是讓能源產業完全擺脫化石燃料的過程中，必須克服的難題。...
2024 年 07 月 04 日

SiC大舉增加能源系統效率　電動車/太陽能逆變器高效世代來臨(2)

WBG半導體的擊穿電壓高十倍，受熱能啟動的程度也更低。對於需要出色的高功率、高溫和高頻率性能的電動車和逆變器製造商來說，SiC半導體代表著令人興奮的前景。 SiC發電效能亮眼 (承前文)除電動車外，新一代碳化矽半導體的性能優勢還將擴及更多不斷成長的產業。根據《2022~2026年全球太陽能集中式逆變器市場報告》，可再生能源市場正在迅速擴張。因此依賴於半導體技術的太陽能/風能發電場逆變器，及分布式儲能解決方案(ESS)預計將迎來復合年成長率(CAGR)，分別為13%和17%的快速成長。...
2024 年 07 月 04 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(1)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 在汽車產業，從底盤到動力傳動、資訊娛樂、連線功能和駕駛輔助系統，車輛設計的幾乎所有方面都在快速發展和創新。純電動車(BEV)若要快速且廣泛地普及，就必須解決充電時間對駕駛人造成的擔憂和壓力，尤其是在長途公路的旅途中。毫無疑問，車載充電器(OBC)設計比大多數領域受到更嚴格的檢視。...
2024 年 03 月 21 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(2)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 創新封裝和散熱方法實現全新散熱設計 然而，在認識WBG技術所帶來優勢的同時，設計人員也必須意識到，散熱效能的改善，是實現這些重要目標的關鍵所在。...
2024 年 03 月 21 日

應用障礙逐步掃除　WBG元件普及大步向前(1)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益，但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此，如何降低設計導入的門檻，成為供應商必須面對的課題。 寬能隙(WBG)元件能讓電源、逆變器等設備的功率密度大幅增加，被認為是足以讓電力電子、馬達驅動等應用進入全新時代的革命性技術。然而，不管是碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)，都有著與傳統矽元件不盡相同的特性，尤其是氮化鎵，其操作頻率、驅動方式，都跟矽元件有著極大的差異。...
2023 年 07 月 03 日

推動WBG元件應用普及　故障分析能力至為關鍵(2)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域，尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現，我們需要新的生命週期模型。 GaN元件特性與故障分析...
2023 年 05 月 02 日

推動WBG元件應用普及　故障分析能力至為關鍵(1)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域，尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現，我們需要新的生命週期模型。 氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)元件具有獨特屬性，因此日漸成為電力電子應用中矽的替代品。SiC...
2023 年 05 月 02 日

CGD 2023 APEC展示電力電子裝置永續未來

Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發一系列節能的GaN式電力裝置，目標是讓電子元件變得更環保，該公司在應用電子電力大會(APEC)上提出多篇論文，涵蓋關於永續發展的策略觀點並深入進行技術分析。CGD使用通過驗證的參考設計和評估板，並透過新建立和既有的GaN生態系統合作夥伴進行展示。...
2023 年 03 月 29 日

英飛凌/台達電聯手推動寬能隙技術進軍高階電源應用

數位化、低碳等全球大趨勢推升了市場對碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)功率元件的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能讓電源產品具有更好的性能和能源效率。在電力電子領域長年耕耘的英飛凌(Infineon)與台達電，日前宣布深化合作關係，將加強推動寬能隙元件在高階電源產品上的應用。...
2022 年 07 月 14 日

筑波新成立半導體EC工程中心

筑波科技在WBG(Wide Band Gap)寬能帶化合物半導體(氮化鎵GaN、碳化矽SiC 、氮化鋁AlN)的異質材料界面、Wafer 、Epi 的材料分析MA與故障瑕疵分析 FA ，已有很好的測試方案經驗。跟Teradyne...
2022 年 06 月 02 日

中央大學攜手是德研發第三代半導體　加速5G基建及電動車創新

是德科技(Keysight)攜手國立中央大學光電科學研究中心(National Central University Optical Sciences Center)，共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐。...
2021 年 10 月 05 日

英飛凌發布功率級應用GaN IPS新品

採用氮化鎵(GaN)這類寬能隙(WBG)材料製成的功率開關憑藉其優異效率及高速切換頻率，開啟了功率電子的新時代。因應此一發展，英飛凌科技股份有限公司(infineon)推出整合功率級(IPS)產品CoolGaN...
2021 年 05 月 12 日
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