英飛凌/Wolfspeed擴展多年期碳化矽6吋晶圓供應協定

英飛凌(Infineon)與Wolfspeed共同宣布擴大並延長雙方既有的，於2018年2月所簽署的長期6吋碳化矽(SiC)晶圓供應協定。擴展的合作範圍包括一個多年期的產能預訂協定，這有助於英飛凌整體供應鏈的穩定，以因應汽車、太陽能、電動車應用以及儲能系統等對碳化矽半導體需求成長的領域。...
2024 年 01 月 29 日

碳化矽晶圓進入8吋時代　然6吋仍為絕對主流

據研究機構Yole Group最新發表的報告指出，雖然全球主要的碳化矽(SiC)晶圓供應商如Wolfspeed、Coherent與SiCrystal都已經在2019~2020年間開發出8吋碳化矽晶圓，部分碳化矽元件製造商也對改用8吋碳化矽晶圓展現出高度興趣，但由於8吋碳化矽晶圓廠的建設需要時間，因此直到2024年為止，碳化矽晶圓的主流尺寸仍將停留在6吋。此外，隨著6吋碳化矽晶圓的出貨量持續增加，4吋碳化矽晶圓的出貨量將出現衰退。...
2023 年 03 月 27 日

Wolfspeed 8吋晶圓廠上線　SiC功率元件進入新世代

碳化矽(SiC)元件大廠Wolfspeed日前宣布，其位於美國紐約州莫霍克谷(Mohawk Valley)的200mm SiC晶圓廠正式開業。這是全球第一座8吋SiC晶圓廠，將助力推進諸多產業從矽基產品向SiC半導體的轉型。在這座晶圓廠啟用後，Wolfspeed也旋即與電動車廠Lucid...
2022 年 04 月 29 日

兼顧波形/膝電壓/電晶體導通　射頻放大器力保偏壓電路效率

在任何基本教學中介紹放大器時，往往是假設為使用理想電晶體。它們的特性包括線性轉導，也就是漏極至源極電流(Ids)隨閘極至源極間電壓(Vgs)的線性變化，當達到臨界電壓Vt時發生夾止點出現的極限情況，或在達到Imax飽和時，展現出強烈的非線性或突變性(圖1)。
2021 年 12 月 16 日

Wolfspeed新GaN-on-SiC MMIC元件亮相

Cree旗下Wolfspeed擴展其無線射頻(RF)解決方案陣容，推出四款新型的碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)單晶微波積體電路(MMIC)元件，適用於各種脈衝陣列和X頻段連續波相位陣列應用，包括船載航海雷達、氣象監測雷達和新興的無人機系統雷達。採用Wolfspeed...
2021 年 05 月 10 日

滿足高功率轉換/小體積電源設計需求　晶片商啟動SiC軍備競賽

為提升電子系統整體電源轉換效能與功耗，並達到輕量化目標，在矽元件被認為已逐漸面臨極限的狀況下，半導體業者開始發展寬能隙半導體。其中，SiC具備高切換速度與低損耗，可實現輕量化、高效率目標，於電動車、工業等市場中的導入腳步急速加快。
2018 年 08 月 09 日

科銳SiC MOSFET助陣　電動車傳動效率大增

綠能意識興起，帶動電動車需求日益增長，為提升電動汽車動力傳動系統性能，科銳(CREE)旗下公司Wolfspeed近日宣布推出新款1200V碳化矽SiC MOSFET系列，可實現高電壓功率轉換，提高電動汽車動力傳動系統效率，讓電動車行駛距離更長，同時能夠降低系統成本，為消費者提供更好的綜合性能。...
2018 年 07 月 05 日
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