德州儀器(TI)日前宣布將在猶他州Lehi興建下一座12吋半導體晶圓廠。新廠將座落在公司現有12吋半導體晶圓廠LFAB旁。一旦完工，TI的兩座Lehi晶圓廠將合併為一座晶圓廠營運。
TI執行副總裁兼營運長暨下一任總裁兼執行長Haviv Ilan表示，這座新晶圓廠是我們12吋晶圓製造長期規畫的一環，旨在建構客戶未來幾十年所需的產能。決定在Lehi興建第二座晶圓廠，代表公司對猶他州的承諾，也證明該地才華橫溢的團隊將為TI未來的另一個重要篇章奠定基礎。隨著半導體在電子領域如預期地成長，尤其是在工業和汽車領域，以及《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)的通過，現在是進一步投資內部製造產能的最佳時機。
具有里程碑意義的110億美元投資，也代表著猶他州歷史上最龐大的經濟投資。Lehi晶圓廠的擴建將創造大約800個TI新職缺，以及數千個間接的就業機會。另外，TI期待強化與猶他州高山學區(Alpine School District)的合作夥伴關係，並將投資900萬美元來提升學生未來的機會和成就。
猶他州州長Spencer Cox表示，像德州儀器這樣的公司會持續投資於猶他州，是因為此地擁有全球頂尖的商業環境和優秀的人力。TI的新半導體晶圓廠將鞏固猶他州未來作為全球半導體製造中心的地位。
Lehi因為具備技能熟練的人才、穩固的基礎設施和緊密的社區夥伴網路，是理想的新廠設置地點。新廠預期將於每天生產數千萬組類比與嵌入式處理晶片，供應世界各地的電子產品製造商。
新廠房的設計將符合建築認證的結構效率與永續性的高級評等，也就是能源與環境設計領導認證(LEED)金級認證。其設計計畫包括以幾乎高於現有Lehi晶圓廠兩倍的速度回收水資源。Lehi的先進12吋晶圓設備與製程，亦將進一步減少每晶圓產生的廢棄物、水資源與能源消耗。
新廠預計於2023年下半年開始興建，最早將於2026年投入生產，其成本已包含在TI先前所宣布用於擴大製造產能的資本支出計畫中。新廠將進一步強化TI現有12吋晶圓廠產能的規畫，其包括DMOS6(Dallas)、RFAB1和RFAB2(均位於德州Richardson)和LFAB(猶他州Lehi)。TI也在德州Sherman建造了四座新的12吋晶圓廠。
