德州儀器(TI)在德州Richardson的300mm(12吋)晶圓廠開始初期生產，預期可快速支援未來數月電子產業大量成長的半導體需求。新建的RFAB2廠與2009年啟用的RFAB1廠相連。新的RFAB2晶圓廠規模比RFAB1大30%以上，兩個晶圓廠之間保留至少630,000的總無塵室空間，待未來完成建置，兩個廠區將能透過15英里的自動化高架輸送系統無縫移動晶圓。新工廠全面投入生產後，每天將能生產超過個1億個類比IC，可應用於再生能源及電動車等領域。
TI技術與製造集團資深副總Kyle Flessner表示，RFAB2是TI針對市場長期成長的半導體需求所投資的項目，未來將持續增加產量，以滿足客戶的需求。在德州Richardson的製造基地中連接兩個晶圓廠有助於提高營運規模與效率。面對企業社會責任，RFAB1是全球率先在類比IC領域獲得能源與環境先導設計((Leadership in Energy and Environmental Design, LEED)認證的晶圓廠，其設計符合評分系統要求的結構效率與永續性，RFAB2也獲得此認證。
RFAB2補足了TI現有的12吋晶圓廠規模，包含位於Dallas的DMOS6及Richardson的RFAB1在內，RFAB2是TI計畫新增的六座12吋晶圓廠之一，期望透過建廠自行生產多元的類比與嵌入式處理元件。TI在晶圓產能的布局包含2021年TI收購位於Utah的LFAB，LFAB預計在未來幾個月內開始初期生產。同時TI宣布在德州Sherman投資300億美元來興建四座晶圓廠。Sherman的第一及第二座晶圓廠正在興建，預期第一座晶圓廠能在2025年開始生產。
