德州儀器(TI)位於猶他州Lehi的全新12吋半導體晶圓廠正式動土。TI總裁兼執行長Haviv Ilan慶祝展開新晶圓廠LFAB2建設的第一階段，猶他州州長Spencer Cox、州立與地方民選官員以及社區領導者亦連袂參與；LFAB2將與TI目前位於Lehi現有的12吋晶圓廠相連。完工後，TI於猶他州的兩座晶圓廠於全面投產時，每日可製造數以千萬計的類比與嵌入式處理晶片。
Ilan表示，新晶圓廠是TI在12吋晶圓製造長遠藍圖的一部分，以期望打造符合客戶未來數十年需求的產能。在2月，TI宣布其位於猶他州的110億美元投資案計畫，創下該州史上規模最大的經濟投資。LFAB2將創造約800個TI新職缺及數千個間接的就業機會，最早將於2026年首度投產。
在教育層面，TI承諾將對高山(Alpine)學區投資900萬美元，開發該州第一個科學、技術、工程與數學(STEM)學習社群，從幼稚園到高中3年級(K-12)的所有學生都適用。這項多年計畫會更深入將STEM概念根植於該區85,000位學生的課程中，並且為該區教師和行政人員提供STEM導向的專業發展。這項全區計畫可讓學生習得必要的STEM技能，例如批判性思考、協作，以及透過創意方式解決問題等，使其更有機會在畢業後獲取成功。
TI長久以來始終承諾以負責任且可永續發展的方式製造。LFAB2將會是TI最具環保效益的晶圓廠之一，其設計符合建築認證的結構效率與永續性之高級評等，也就是能源與環境設計領導認證LEED v4金級認證。
LFAB2的目標為100%採用再生能源電力供電，且Lehi先進的12吋設備與製程將可進一步減少廢棄物、用水與能源消耗。事實上，相較於TI在Lehi的現有晶圓廠，LFAB2的預期回收水率可達將近兩倍。
LFAB2將可與TI現有的12吋晶圓廠相輔相成，包括LFAB1(猶他州Lehi)、DMOS6(德州達拉斯)以及RFAB1和RFAB2(均位於德州Richardson)。TI亦正於德州Sherman建造四座新的12吋晶圓廠(SM1、SM2、SM3和SM4)，預計第一座晶圓廠最早將於2025年投產。
隨著TI擴大製造規模，以及預期可透過《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)獲得的支援，可望實現穩定的類比與嵌入式處理產品供應。TI對製造與技術所挹注的投資，說明其對長期產能規畫所做的承諾。
