德州儀器(TI)推出新款業界半橋閘極驅動器– UCC27714，此款用於離散式功率MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)的閘極驅動器工作電壓可高達600V。新產品高側、低側驅動器具有4A源電流和4A汲電流的處理能力，能夠將元件占板面積減少50%，進而在伺服器、電信和不斷電供應系統等工業設計所使用的高頻、離線AC/DC電源中實現更高的功率密度。
該驅動器提供90 ns的傳播延遲，此延遲比現有的矽解決方案低40%，在–40～125°C溫度範圍內，對最大值為125 ns的傳播延遲進行嚴密控制，並且在同樣的溫度範圍內可實現20 ns的通道到通道延遲匹配。此裝置無需大體積閘極驅動變壓器，進而節省高頻開關模式電力電子裝置內的電路板空間。
此外，新產品的主要特點和優勢在於：將二次側可控電源內的閘極驅動器元件占板面積減少50%；具備進階的雜訊耐受能力，開關節點接腳上-6V的負電壓處理能力產生對於雜訊的耐受能力，幾乎不會在電子系統中發生任何故障；MOSFET具有廣泛功率範圍內的驅動能力，此裝置4A的高電流處理能力使得MOSFET能夠在幾瓦到一千瓦的廣泛功率範圍內實現驅動功能；以及可在廣泛溫度範圍內運行，在工作溫度範圍內，所有的電氣特性幾乎沒有任何差異，進而簡化設計，加快上市時程。
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