矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸，各家廠商無不戮力開發3D NAND快閃記憶體，以突破物理限制；然而，3D NAND快閃記憶體未來若要持續跟隨摩爾定律(Moore’s Law)演進，並將整體良率及成本控制在合理範圍，TSV技術將是不可或缺的重要關鍵。
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| SSD聯盟協會副理事長曾德彰認為，未來3D NAND快閃記憶體若要突破製程微縮的瓶頸，持續朝高密度高容量的目標演進，TSV將成關鍵技術。 |
SSD聯盟(Solid State Drive Alliance)協會副理事長曾德彰表示， NAND快閃記憶體真正的市場優勢是其高密度儲存容量，然NAND快閃記憶體要繼續朝向此一目標演進，光靠3D NAND快閃記憶體的開發尚嫌不足。他進一步表示，NAND快閃記憶體若要持續追求高容量、高頻寬、高密度，TSV技術將是未來3D NAND記憶體遇到微縮瓶頸後的解方；換言之，能掌握NAND Flash TSV技術的廠商可望成為未來的最大贏家。
以美光(Micron)、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等大廠力推的次世代儲存技術–混合記憶體立方體(Hybrid Memory Cube, HMC)為例，該技術即是利用TSV技術堆疊多層動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片，其頻寬可達到320GB/s，為第三代雙倍資料率記憶體(DDR3)的十五倍，功耗及占用空間則可分別降低70%及90%，而美光亦已於10月上旬發表全球首款2GB的HMC記憶體。
曾德彰指出，TSV技術同樣可用於3D NAND快閃記憶體，TSV可使封裝尺寸微縮到10立方毫米(mm3)以下。在相同晶片面積且不增加功耗的前提下，TSV技術能製作出更多輸入/輸出(I/O)接腳，進而提供更高的頻寬。因此他預期，日後當3D NAND快閃記憶體遇到微縮瓶頸後，NAND Flash TSV技術將成解方，持續帶領NAND快閃記憶體朝向TB等級超微型封裝(Tera-bytes Flash TSV Ultra-thin Package)的目標演進。
曾德彰分析，具備TB等級且僅有指紋大小的NAND快閃記憶體，勢必劇烈拉動行動裝置及企業端的儲存市場向上攀升，如當智慧型手機內建2TB的記憶體且具備高速運算功能，它將成為另一種變相的微型伺服器。不過，他也坦言，NAND Flash TSV技術在開發上確實面臨許多挑戰，等到3D NAND快閃記憶體在未來幾年面臨到發展遲緩期時，該技術才有可能加速發展。
目前，3D NAND快閃記憶體係採垂直堆疊與水平堆疊兩種方式實現。以三星為例，其就具備了垂直堆疊的TCAT架構，也就是近期開始量產的V-NAND快閃記憶體(Vertical-NAND)，三星另外也有水平堆疊的VG-NAND架構；而東芝(Toshiba)、SK Hynix、美光分別開發的P-BiCS、SMArT及DG TFT(Dual gate TFT)架構則屬於垂直架構。曾德彰認為，以3D NAND快閃記憶體市場而言，目前尚無廠商為最大贏家，選擇不同技術的廠商將各擁不同的利基市場。
