SiC和GaN功率元件在電源供應器上的應用─東芝電子

生成式AI為IT設備的電源子系統設計帶來巨大考驗,在電源供應器(PSU)與主機板上的負載點(POL)之間的每一個電源轉換環節,甚至是設計過程中的測試驗證,都需要與時俱進,導入新的技術與設計觀念。舉例來說,在電源供應器方面,為提高直交流轉換效率,越來越多業者開始採用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件,但這些新世代功率元件不僅需要新的測試方式,同時也需要搭配新的轉換電路拓撲,甚至是磁性元件,才能發揮其全部潛力。 同樣的情況也出現在直流轉換與穩壓環節。採用最先進製程的新一代處理器,不管是CPU、GPU或APU,工作電壓往往只有1V上下,卻需要汲取動輒數百A的峰值電流。這意味著直流轉換設計不只要有好的效率、精準穩定的輸出電壓,而且還必須想盡辦法降低傳輸路徑上的阻抗。因此,直流轉換跟穩壓方案不僅持續推陳出新,與主晶片共同封裝(Co-package)的作法,更被視為不可避免的發展趨勢。

●活動名稱:高效能電源設計論壇
●主題:SiC和GaN功率元件在電源供應器上的應用
●主講人:【東芝電子工程部經理/上新原 崇Kamishinbara Takashi】
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