亞德諾提升MOSFET驅動器運作效率

2009 年 11 月 23 日

亞德諾(ADI)發表全新高速18伏特金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)驅動器家族,能提供2安培與4安培的峰值電流,具有14~35毫微秒的最低傳播延遲及10~25毫微秒的邊緣上升/下降時間。
 



全新的ADP 36xx MOSFET驅動器家族以其過熱保護功能、電壓過低鎖定(UVLO)功能與精密關閉能力,使系統的保護性與可靠性獲得改善。這些驅動器可以用來補強脈寬調變(PWM)控制器,進而改善系統的效率,同時使隔離式電力轉換與馬達控制系統應用領域當中的高切換頻率得以實現。
 



此款高電流驅動、雙高速18伏特驅動器的新家族,能夠驅動兩組獨立的N通道電力MOSFET,並且採用業界標準的封裝尺寸。這些元件具有內部的溫度感測器,提供兩種位準的過熱保護功能,可在極端接合點溫度下的過熱警告及過熱關閉。藉由精密的內部比較器所產生的關閉功能,提供允許多餘過電壓保護的快速系統致能或是關閉,補強了切換控制器的保護功能。廣大的輸入電壓範圍使驅動器能夠與類比式和數位式 PWM 控制器相容。
 



數位電力控制器乃是由低電壓電源提供電力,而驅動器則是由較高電壓的電源提供電力。與低電壓數位控制器搭配使用時,UVLO及磁滯(Hysteresis)功能允許較高電壓電源供應的安全啟動與關閉。該元件家族採用耐熱度增強的SOIC_N_EP 以及MINI_SO_EP封裝,藉以使其在小區域印刷電路板(PCB)中的高頻率驅動能力最大化。
 



亞德諾網址:www.analog.com

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