英飛凌的OptiMOS 3和5是同類最佳(BiC)的功率MOSFET，採用節省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩健性，讓系統成本得以降低，而整體性能也得以提升。客戶可以到儒卓力電子商務平台www.rutronik24.com瞭解有關OptiMOS BiC功率MOSFET的產品資訊。
由於具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，接面至外殼(Junction to Case (RthJC))之間的低熱阻抗提供了出色的散熱行為，從而降低了滿載運作時的溫度。它提供顯著降低的電壓過衝，讓低反向恢復電荷(Qrr)可以提高系統可靠性，最大限度地減少了對緩衝電路的需求，因此工程成本得以降低，工作量也得以減少。
這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助於在更高工作接面溫度下實現更高的功率，或者在相同的工作接面溫度下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的增加，安全操作區域(SAO)亦改善了20%。
這些BiC MOSFET具有出色的性能數據，非常適合電信、伺服器、三相逆變器、低壓驅動器以及D類音訊等應用。英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產品系列包括60V~250V等版本。
