5G時代的到來，從根本上顛覆了現有的傳統通訊方式，它加速了現實社會與互聯網空間的快速融合，讓人與人、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發展5G的一重要目標就是在提高訊息傳輸速率、減少延遲的同時，節約能源、降低系統成本。隨著5G訊號大規模覆蓋需求增大，大量5G基站的建設已迫在眉睫，這勢必會為電源市場帶來新的機會。順應此趨勢，大聯大世平基於安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。
安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩壓器，其集成了高邊和低邊功率MOSFET，支援從4.5V到65V的寬電壓範圍，能夠處理的連續電流高達10A。此外，onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領先業界的封裝技術將FAN65008B集成在一個四方扁平無引線(PQFN)封裝中，能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應，使開發人員能夠實現98.5%的峰值能效。這意謂著使用FAN65008B比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性(EMI)。除了上述特性，FAN65008B還具有可調過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護等功能，可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。
在5G技術發展如此快速的進程中，基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡、快速部署的需求，大聯大世平聯手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場痛點進行優化，能夠滿足行業需求，助力5G基站建設快速推進。
