大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基於安森美半導體(ON Semiconductor)高頻率準諧振NCP1342的65W PD電源轉接器方案。
電源轉接器在電子產品中佔據相當大的空間，在過去一段時間裡，人們採用以矽(silicon)為材料的電源技術來縮減產品尺寸，但隨著市場對於高功率密度的需求日益增高，矽材料在現有尺寸規格下，已經無法在所需的頻率下輸出更高的功率。因此，GaN就成了大功率適配器的首選材料。由大聯大友尚推出的基於ON Semiconductor高頻率準諧振NCP1342的65W PD電源轉接器方案，搭配英諾賽科的GaN MOS，可以在保障產品小型化的同時擁有更大的功率。
GaN被稱為第三代半導體材料，電子遷移率遠遠高於矽，輸出電容也遠小於矽，這使得其具有寬能帶隙特性，可以使電源設計達到更高的功率密度和效率水平，進而降低了開關損耗和傳導損耗，支持更高的開關頻率，有助於實現更高功率的小尺寸電源設計。
此外，本方案中的核心元件是ON Semiconductor高頻率準諧振NCP1342，其具有專有的谷值鎖定電路，可確保穩定的谷值切換。在設計上，NCP1342採用較小峰值電流調製(MPCM)來快速降低開關頻率，以確保針對高頻設計的輕負載性能。不僅如此，NCP1342還內置若干關鍵保護電路，可確保實現堅固耐用的轉換器性能。
