安譜隆半導體(Ampleon)近日宣布推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。這是第一款採用該公司最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射頻能量電晶體，該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。其設計用於900至930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波(CW)射頻能量應用，該電晶體採用小型陶瓷SOT502封裝，結合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優勢。此舉減少了所需的空間，從而降低了放大器設計的成本。
由於其高工作效率通常高於68%，其冷卻需求也保持在最低限度，這有助於進一步降低所需的空間。此外，具有高增益的優勢其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB類應用中以50V VDS測得，這有助於提高放大器的整體效率。
透過使用2個這種小型SOT502封裝的600W電晶體，設計師可以在與單個SOT539封裝相同的空間中搭建出一個1.2kW的射頻功率放大器。這種架構還有助於降低電晶體溫度，從而有效實現比單個SOT539解決方案更高的效率。該電晶體內建了ESD保護和內部輸入匹配。此匹配增加了電晶體的輸入阻抗，簡化了PCB匹配結構的設計，從而可實現緊湊的放大器設計。
