富士通台灣分公司推出1Mb鐵電隨機存取記憶體(FRAM)的元件–MB85RS1MT，並採用八針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)製程。WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前八針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM變成較小尺寸元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的較佳記憶體元件，除可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等，以及活動記錄器，而這些眾多裝置的共同點，皆為須持續的即時記錄資料；一般的非揮發性記憶體技術，如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入一百萬次，而該公司的FRAM技術則可將資料完整性提高至最少十兆次讀/寫次數，因此對於在儲存即時記錄資料較為理想。
為更加利用FRAM的上述特性，該公司為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添WL-CSO封裝。新款元件採用SOP封裝，然而採用WL-CSP封裝後，其體積僅3.09×2.28×0.33mm大小，而封裝面積只有SOP封裝的23%，換言之，即能比SOP封裝的面積減少77%。
富士通網址：jp.fujitsu.com
