快捷P通道MOSFET改善電池充電和負載開關

2012 年 08 月 12 日

快捷(Fairchild)為了幫助手機及其他可攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關,擴大其P通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品線。
 



FDMA910PZ和FDME910PZT具備MicroFET MOSFET封裝,並提供2毫米(mm)×2毫米和1.6毫米×1.6毫米封裝尺寸下最卓越的散熱性能,能完全匹配開關和線性模式應用。


同時,FDMA910PZ和FDME910PZT在20伏特(V)額定電壓下,這些元件提供低導通阻抗。為預防靜電放電(ESD)失敗,FDMA910PZ和FDME910PZT裝有優化穩壓二極體保護裝置,這亦令最大額定IGSS洩漏電流從10微安培(μA)降至1μA。
 



此外,FDMA910PZ和FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,並為RoHS相容。兩種裝置均提供低電壓安全運作,並適用於手機和可攜式裝置。
 



快捷提供豐富的客製化類比和電源IP產品系列,以滿足特定的設計需求。利用將先進的電路技術整合在微型封裝中,可為可攜式產品用戶提供重要的優勢,同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。
 



快捷網址:www.fairchildsemi.com

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