快捷Quad-MOSFET提高主動橋式應用效率

2013 年 05 月 06 日

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)FDMQ86530L 60伏特(V) Quad-MOSFET為設計者提供一體式封裝。


在高畫質緊湊型主動橋式應用中(如網路攝像機)產生過多熱量,可引起圖像畫質問題。與之類似,熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件,進而降低攝像機的畫質。


典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations),這使得本就複雜的設計變得更加複雜,並且使電路板空間變得更加混亂。


FDMQ86530L解決方案由四個60 VN通道MOSFET組成,採用快捷半導體的 GreenBridge技術,將功率損失性能提高十倍,從而改善傳統二極體電橋的傳導損失及效率。該元件採用熱性能增強,節省空間的4.5×5.0毫米(mm)MLP 12接腳封裝,無須使用散熱器,實現緊湊型設計,並在12伏特(V)及24伏特交流電(AC)應用中可提高功率轉換效率。


FDMQ86530L是快捷半導體公司全系列分立式MOSFET組合產品的一部分,提供該產品進一步實現公司的承諾–提供最具創新意義的封裝技術,為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。


快捷半導體網址:www.fairchildsemi.com

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