全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體(Fairchild Semiconductor)日前宣布收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，以擴展其技術領先地位。此舉使其可在超廣溫度範圍下有出色性能，以及優於金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(JFET)技術卓越性能的雙極SiC電晶體技術。
快捷半導體同時藉此獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊，以及多項SiC技術專利。快捷半導體總裁兼執行長Mark Thompson表示，透過結合SiC技術和快捷半導體現有的MOSFET、IGBT和多晶片模組方面的能力，以及遍及全球的客戶據點，快捷半導體擁有足夠實力，繼續擔當創新高性能功率電晶體技術領導廠商的角色。
快捷半導體技術長Dan Kinzer指出，憑著SiC技術的高性能表現，功率轉換效率可被大大提高。它還提供更高的轉換速度，可以縮小的終端系統外形尺寸。碳化矽技術在市場已有一定地位，同時在寬能隙(Wide Bandgap)領域擁有強大優勢，適合需要600伏特以上電壓應用，並且展現出色的穩健性和可靠性。快捷半導體正在為目標應用提供最高50安培額定電流的1,200伏特初始產品的樣品，並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品，繼續推動省能工作。
SiC技術超越其他技術的優勢包括在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop)、較高的電流密度、較高的運作溫度、極低的熱阻抗、只有多數載流子傳導，具有超快的開關速度、採用電流增益範圍為100安培的通常關斷運作(Off Operation)方式，提供簡便的驅動解決方案、由於採用正溫度系數電阻元件，可以達成簡易並聯。另外，這類元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限，並且成功在25奈秒(ns)的導通和關斷時間範圍內展示出800伏特下的50安培開關運作。這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。
這些高增益SiC雙極元件適合井下鑽探、太陽能變流器、風力變流器、電動及複合動力汽車、工業驅動、UPS和輕軌牽引應用中的高功率轉換應用。市場研究機構Yole Development預計，到2020年，這些市場的規模將達到接近10億美元。這款元件亦具有領先業界的效率，可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提升達四倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件，能夠降低整體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統，該元件是無可比擬的首選產品。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com
