快捷推出低側高雙功率晶片非對稱N通道模組

2012 年 05 月 15 日

快捷半導體(Fairchild)推出一款25伏特(V)、3.3毫米(mm)×3.3毫米低側高雙功率晶片非對稱N通道模組–FDPC8011S,可為高密度嵌入式直流對直流(DC-DC)電源提供更多的功能,協助電源設計人員應付在功率需求增加及較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。
 



FDPC8011S專為開關頻率更高的應用而開發,在一個採用全Clip封裝內整合1.4毫歐姆(mΩ)SyncFETTM技術和一個5.4毫歐姆控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、低品質因子的N通道MOSFET,有助於減少同步降壓應用中的電容數量,同時縮小電感尺寸。
 



FDPC8011S具有源極向下和低側MOSFET,可以達成簡單的布局和布線,提供更小巧的線路板布局及最佳的散熱性能;並具有超過250安培(A)的輸出電流,容量比其他普通3毫米×3毫米雙MOSFET元件提高兩倍。
 



新增的3毫米×3毫米Power Clip非對稱雙MOSFET是全面廣泛的PowerTrench MOSFET產品系列的一部分,能為電源設計人員提供大量針對任務關鍵性高效資訊處理設計的解決方案。
 



快捷網址:www.fairchildsemi.com

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