恩智浦(NXP)發布全新系列的小訊號金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)設備，新產品採用SOT883封裝，SOT883 MOSFET面積超小，僅1毫米×0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只須占據14%的印刷電路板空間。該產品針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模組、液晶電視電源及手機和其他可攜式設備的負載開關。該產品具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)值，能幫助製造商滿足消費者對更輕巧、更節能的產品需求。
該公司表示，該系列產品以恩智浦已驗證的四側無接腳扁平封裝(Quad Flat Non-leaded)技術，為客戶提供功耗表現出色的環保型封裝，同時其性能完全能滿足當今手機及行動運算應用的要求。
除大幅縮小MOSFET面積之外，該公司取消接腳，不但騰出更多的電路板空間，還提高散熱性能。憑藉出眾的散熱性能和在2.5伏特時不到0.65歐姆的Rds(on)值，該公司新型MOSFET能提供比現有的1毫米×0.6毫米MOSFET產品更高的承載量。新產品還擁有業界快速的開關速度，啟動時間僅為12～16奈秒，關閉時間僅為17～24奈秒。
該產品採用純錫電鍍、高效封裝技術和不含有毒阻燃劑的環保塑膠精製而成，符合所有環保規定。透過高密度封裝技術，可在標準180毫米卷帶(Rreel)上容納一萬個元件，降低組裝成本和庫存需求。
恩智浦網址：www.nxp.com
