意法半導體發表創新型突波防護晶片

2010 年 07 月 26 日

意法半導體(ST)推出創新型突波防護晶片,透過將指定能量吸收性能擴展到最大作業溫度,有助於降低電子設備突波防護元件的尺寸和成本。新產品提供六個系列,作業溫度範圍介於-40~150℃,突波能量值從100~1500瓦(10/1000微秒脈衝),適用於消費性電子、電信及工業應用。
 



大多數電子設備必須使用突波防護元件,以防止因電源波動或靜電放電(ESD)而燒毀敏感電路。Transil產品系列(或稱二極體陣列)主要功能是將突波能量從電路轉移到地面。Transil通常在25℃以下時才能提供正常的吸能性能,當達到最大作業溫度時,吸收突波能量的功能會喪失。因此,設計人員通常選用尺寸更大的保護晶片以確保在作業溫度範圍內有效的突波防護。
 



意法半導體的SMxJ和SMxT系列Transil能解決以上問題。當達到最大接面溫度時,仍可提供優異的突波防護性能,工程人員可選用尺寸更小、成本更低且突波防護性能符合要求的保護元件。SMxJ和SMxT系列的另一大優點是漏電流較前一代產品降低80%,有助於降低系統功耗,提高能效。意法半導體還提供新產品的動態電阻,設計人員可精確地計算定位電壓(Clamping Voltage),以提高突波防護性能,最大限幅度地降低設備故障機率。
 



SM系列具有在最大接面溫度時依舊保持優異的突波防護性能、ESD保護性能符合IEC 61000-4-2和MIL-STD-883G規範、8/20微秒(µs)突波防護性能符合IEC 61000-4-5的過度電性應力(Electrical Over Stress, EOS)及85℃的漏電流規定值符合電信產業要求等特性。
 



意法半導體網址:www.st.com

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