東芝第三代碳化矽MOSFET提高工業設備效率

2022 年 10 月 20 日

東芝推出全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET,具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品,已經開始出貨。

新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%,使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%。開關損耗也減少了約20%,因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。

東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容,加強其生產設施,並透過提供易於使用的高性能功率元件,實現無碳經濟。

標籤
相關文章

大聯大世平/東芝1/11~1/13舉辦研討會

2022 年 01 月 07 日

羅姆增建新廠房 擴大SiC功率元件產能

2018 年 04 月 26 日

東芝針對車用音響推抗電湧性能功率放大器

2018 年 10 月 11 日

東芝發表適用於三相無刷馬達600V正弦波PWM驅動IC

2019 年 10 月 17 日

東芝推多路電源輸出IC實現車輛安全

2019 年 12 月 31 日

東芝發表新型元件結構 SiC MOSFET可靠性提升十倍

2020 年 08 月 20 日
前一篇
泓格推出微型Modbus/TCP轉RTU/ASCII閘道器
下一篇
大聯大世平基於onsemi推出BLDC驅動器方案