瑞薩(Renesas)發表十二款適用於隔離式直流對直流(DC-DC)整流器之第十代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器。
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| 新產品經過瑞薩最佳化第十代製程，可提升晶片特性，高效能封裝可提供更優良的電源供應效率並節省能源。 |
新推出的功率MOSFET可降低開關損耗，提升能源效率並涵蓋40伏特、60伏特、80伏特、100伏特多種電壓範圍，於2009年12月3日開始量產。上述十二款新產品所採用的第十代製程，在先前針對導通電阻而設計的功率MOSFET(主要用於非隔離式DC-DC整流器)產品中已證實其優點，並且經過最佳化，相較於瑞薩過去的產品，最高可使汲閘負載電容(Qgd)降低50%。汲閘負載電容是使功率(MOSFET)達到低開關耗損的關鍵特性。
另外，高效能封裝可降低封裝阻抗並提升散熱特性，進一步提升產品效能，使隔離式DC-DC 整流器達到更高的效率並降低耗電量。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
