瑞薩(Renesas)宣布開發90奈米(nm)單電晶體MONOS(1T-MONOS)快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS(BiCDMOS)，並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量。該公司預期此全新快閃記憶體電路技術，將能使快閃記憶體加入至汽車類比裝置，並具備更高的效能與可靠性。
近年來，市場除了要求汽車提升燃油效率之外，也希望汽車能提供更寬敞的車內空間與舒適感，因此每部汽車所使用的電子控制單元(ECU)亦隨之增加。隨著汽車控制系統愈趨精密且控制功能愈趨複雜，讓ECU更輕、更具能源效率及尺寸更小已成為重要的議題。尤其散熱器、水幫浦、汽車空調系統等裝置使用許多小型馬達，因此產生了整合ECU及機電元件一體化的需求。
此全新開發的快閃記憶體技術可抑制額外的製程成本，同時以簡單的方式將快閃記憶體加入汽車類比與電力元件中。這表示用於連接感測器與馬達的類比電路，將可採用混合微控制器(MCU)邏輯與以此新技術為基礎的快閃記憶體。如此將可大幅減少馬達控制系統所使用的晶片數量，同時有助於縮小尺寸、減輕重量並提升電源效率。此技術將協助促進ECU整合及機電元件一體化，並有助於實現高燃油效率的汽車，不僅燃油效率更高，車內空間也更寬敞舒適。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com
