瑞薩電子新款MOSFET降低50%導通電組

2013 年 02 月 07 日

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出新款低導通電阻金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品,做為網路伺服器與儲存系統的電源供應器內的ORing單結型場效應電晶體(FET)使用。
 



該款新產品具有業界最低的0.72毫安培(mΩ)導通電阻,比瑞薩電子早期產品低約50%,並具備高效率與小尺寸安裝面積封裝(八接腳HVSON),能以較小的封裝提供高電流控制,有助於節省電力及電源組件的小型化,用於大型伺服器儲存系統。
 



以關鍵任務系統而言,通常會提供備援供電,亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置,以維持伺服器儲存系統的高可靠性,這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。
 



此外,ORing FET在正常運作時會維持導通,但若其中一個電源供應器故障時,該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態,以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離,確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。正常運作時,電源輸出線路須處理數十至數百安培(A)的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。
 



為因應上述需求,瑞薩電子以全新低導通電阻製程為基礎,目前已開發三款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求,可為電源供應裝置提供低導通電阻及更小的外型。
 



瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com

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